China reivindica un avance en fotónica de silicio que podría superar obstáculos técnicos

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Beijing, China, noviembre 19.- Un laboratorio de semiconductores financiado por el Estado en China dijo que ha logrado un “hito” en el desarrollo de la fotónica de silicio, lo que podría ayudar al país a superar las barreras técnicas actuales en el diseño de chips y lograr la autosuficiencia en medio de las sanciones estadounidenses. El Laboratorio JFS, con sede en Wuhan, capital de la provincia central de Hubei y base nacional para la investigación fotónica, logró encender una fuente de luz láser integrada con un chip basado en silicio, la primera vez que esto se hizo con éxito en China, según una publicación de blog del laboratorio la semana pasada. El logro significa que China ha llenado “uno de los pocos espacios vacíos” en su tecnología optoelectrónica, informó el viernes el medio estatal Diario del Pueblo. Este desarrollo es particularmente significativo para China, ya que le permitiría reducir su dependencia de tecnologías de fabricación de chips, actualmente limitada por sanciones estadounidenses, entre otros factores. Además, las proyecciones indican que el mercado global de chips de fotónica de silicio pueda alcanzar los 7,860 millones de dólares para 2030, lo que pone el acento en su potencial transformador en la industria y su papel en la competencia tecnológica entre Estados Unidos y China. En definitiva, la combinación de menor consumo energético y mayor velocidad de transmisión coloca a esta tecnología en el centro de las estrategias chinas para consolidarse en el sector de semiconductores a nivel global. Sin embargo, aunque el avance técnico es notable, aún queda el desafío de llevar estos prototipos a una escala de producción masiva que garantice su competitividad frente a líderes de la industria como Nvidia o Intel, quienes también están investigando en este campo.